IPB50N10S3L-16

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

64 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS-T

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

IPB50N10S3L16ATMA1 IPB5N1S3L16XT SP000386183

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB50N10, IPB50N1, IPB50N, IPB50, IPB5, IPB