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TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4
Mfr. #:
TC58BYG1S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58BYG1S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
2 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
256 M x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Block löschen
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58BYG1S3HBAI4, TC58BYG1, TC58BY, TC58B, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63-Pin TFBGA
***i-Key
IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58BYG1S3HBAI4
DISTI # TC58BYG1S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$3.8950
TC58BYG1S3HBAI4_REEL
DISTI # TC58BYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58BYG1S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$2.8900
  • 420:$2.8900
  • 840:$2.7900
  • 1260:$2.7900
  • 2100:$2.6900
TC58BYG1S3HBAI4_REEL
DISTI # TC58BYG1S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63-Pin TFBGA (Alt: TC58BYG1S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000		Asia - 0
    TC58BYG1S3HBAI4
    DISTI # 757-TC58BYG1S3HBAI4    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		210
    • 1:$5.3200
    • 10:$4.2800
    • 100:$3.9000
    • 250:$3.5200
    • 500:$3.1600
    • 1000:$2.6600
    • 2500:$2.5300
    Bild Teil # Beschreibung
    TC58BYG2S0HBAI4

    Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI4

    OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI4

    		 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TC58BYG1S3HBAI6

    Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

    OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
    TC58BYG0S3HBAI4

    Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI4

    OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI4

    		 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
    TC58BYG2S0HBAI6

    Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6

    OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TC58BYG0S3HBAI4(JAH)

    Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI4(JAH)

    OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI4-JAH--1190

    		 Neu und Original
    TC58BYG0S8EBAIA

    Mfr.#: TC58BYG0S8EBAIA

    OMO.#: OMO-TC58BYG0S8EBAIA-1190

    		 Neu und Original
    TC58BYG1S3HBAI4

    Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI4

    OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE Benand
    TC58BYG0S3HBAI6-ND

    Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI6-ND-1190

    		 Neu und Original
    TC58BYG2S0HBAI4-ND

    Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI4-ND

    OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI4-ND-1190

    		 Neu und Original
    TC58BYG2S0HBAI6-ND

    Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6-ND-1190

    		 Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    210
    Auf Bestellung:
    2193
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    3,52 $
    3,52 $
    10
    3,19 $
    31,90 $
    25
    3,12 $
    78,00 $
    50
    3,11 $
    155,50 $
    100
    2,79 $
    279,00 $
    250
    2,78 $
    695,00 $
    500
    2,67 $
    1 335,00 $
    1000
    2,54 $
    2 540,00 $
    2500
    2,42 $
    6 050,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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