FDI040N06

FDI040N06
Mfr. #:
FDI040N06
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDI040N06 Datenblatt
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FDI04, FDI0, FDI
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDI040N06
DISTI # FDI040N06-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 400
Container: Tube
Limited Supply - Call
    FDI040N06
    DISTI # 512-FDI040N06
    ON SemiconductorMOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm
    RoHS: Compliant
    0
      FDI040N06Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      RoHS: Compliant
      252
      • 1000:$1.7000
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      Bild Teil # Beschreibung
      FDI038AN06A0

      Mfr.#: FDI038AN06A0

      OMO.#: OMO-FDI038AN06A0

      MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
      FDI030N06

      Mfr.#: FDI030N06

      OMO.#: OMO-FDI030N06

      MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
      FDI038AN06A0_NL

      Mfr.#: FDI038AN06A0_NL

      OMO.#: OMO-FDI038AN06A0-NL-1190

      Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AB
      FDI038AN06AD

      Mfr.#: FDI038AN06AD

      OMO.#: OMO-FDI038AN06AD-1190

      Neu und Original
      FDI038AN06AO 38N06

      Mfr.#: FDI038AN06AO 38N06

      OMO.#: OMO-FDI038AN06AO-38N06-1190

      Neu und Original
      FDI044AN03L

      Mfr.#: FDI044AN03L

      OMO.#: OMO-FDI044AN03L-1190

      Neu und Original
      FDI045N10A-F102

      Mfr.#: FDI045N10A-F102

      OMO.#: OMO-FDI045N10A-F102-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
      FDI045N10AF102

      Mfr.#: FDI045N10AF102

      OMO.#: OMO-FDI045N10AF102-1190

      Neu und Original
      FDI047AN08

      Mfr.#: FDI047AN08

      OMO.#: OMO-FDI047AN08-1190

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      FDI047AN08AO

      Mfr.#: FDI047AN08AO

      OMO.#: OMO-FDI047AN08AO-1190

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