SIHF640S-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

70 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

130 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.7 S

Abfallzeit:

36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

51 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Tags

SIHF64, SIHF6, SIHF, SIH