2SJ360(F)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-62-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

730 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

2SJ360

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

2SJ360, 2SJ36, 2SJ3, 2SJ