IXTH60N20L2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

255 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

540 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

Linear L2

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXTH60N20

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Linear L2 Power MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

35 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTH60, IXTH6, IXTH, IXT