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DMN10H220L-7

DMN10H220L-7
Mfr. #:
DMN10H220L-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN10H220L-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Eingebaute Dioden
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
DMN10
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
SOT-23
Aufbau
Single
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
1.3W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
100V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
401pF @ 25V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
1.4A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
8.3nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
3.6 ns
Anstiegszeit
8.2 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 16 V
ID-Dauer-Drain-Strom
1.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
220 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
7.9 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
6.8 ns
Qg-Gate-Ladung
8.3 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
-
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Japan
Transistor MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
***ure Electronics
DMN10H220L Series 100 V 250 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
***ark
Mosfet Bvdss: 61V~100V Sot23 T&r 3K Rohs Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		95100In Stock
  • 1000:$0.1745
  • 500:$0.2258
  • 100:$0.3080
  • 10:$0.4110
  • 1:$0.4900
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		95100In Stock
  • 1000:$0.1745
  • 500:$0.2258
  • 100:$0.3080
  • 10:$0.4110
  • 1:$0.4900
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		93000In Stock
  • 3000:$0.1545
DMN10H220L-7
DISTI # DMN10H220L-7		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN10H220L-7)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.0859
  • 6000:$0.0819
  • 12000:$0.0779
  • 18000:$0.0739
  • 30000:$0.0729
DMN10H220L-7
DISTI # 621-DMN10H220L-7		Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
RoHS: Compliant		357716
  • 1:$0.4000
  • 10:$0.3280
  • 100:$0.2000
  • 1000:$0.1550
  • 3000:$0.1320
DMN10H220L-13
DISTI # 621-DMN10H220L-13		Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
RoHS: Compliant		0
  • 10000:$0.1320
DMN10H220L-7
DISTI # 9211048		Zetex / Diodes Inc100V 1.6A N-CH MOSFET TRANS SOT-23, PK1560
  • 30:£0.2460
  • 150:£0.1670
  • 450:£0.1580
  • 900:£0.1480
  • 3000:£0.1240
DMN10H220L-7
DISTI # 9211048P		Zetex / Diodes Inc100V 1.6A N-CH MOSFET TRANS SOT-23, RL2070
  • 150:£0.1670
  • 450:£0.1580
  • 900:£0.1480
  • 3000:£0.1240
Bild Teil # Beschreibung
DMN10H120SFG-13

Mfr.#: DMN10H120SFG-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SFG-13

 MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
DMN10H170SFDE-7

Mfr.#: DMN10H170SFDE-7

OMO.#: OMO-DMN10H170SFDE-7

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
DMN10H120SE-13

Mfr.#: DMN10H120SE-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-13

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
DMN10H220LVT-7

Mfr.#: DMN10H220LVT-7

OMO.#: OMO-DMN10H220LVT-7

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
DMN10H099SFG

Mfr.#: DMN10H099SFG

OMO.#: OMO-DMN10H099SFG-1190

 Neu und Original
DMN10H120SE

Mfr.#: DMN10H120SE

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-1190

 Neu und Original
DMN10H120SE-13

Mfr.#: DMN10H120SE-13

OMO.#: OMO-DMN10H120SE-13-DIODES

 Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
DMN10H220L-7

Mfr.#: DMN10H220L-7

OMO.#: OMO-DMN10H220L-7-DIODES

 Darlington Transistors MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
DMN10H099SFG-13

Mfr.#: DMN10H099SFG-13

OMO.#: OMO-DMN10H099SFG-13-DIODES

 MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
DMN10H170SVT-7

Mfr.#: DMN10H170SVT-7

OMO.#: OMO-DMN10H170SVT-7-DIODES

 MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von DMN10H220L-7 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,11 $
0,11 $
10
0,10 $
1,04 $
100
0,10 $
9,84 $
500
0,09 $
46,45 $
1000
0,09 $
87,50 $
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