SSM6N37FE,LM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ES6-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Serie:

SSM6N37

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns, 36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns, 18 ns

Gewichtseinheit:

0.001270 oz

Tags

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