IPB65R099C6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

89 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

127 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

278 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C6

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

77 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.6 ns

Teil # Aliase:

IPB65R099C6ATMA1 IPB65R99C6XT SP000895224

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

IPB65R09, IPB65R0, IPB65, IPB6, IPB