NESG270034-T1-AZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

CEL

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

E

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

SiGe

Polarität des Transistors:

NPN

Emitter- Basisspannung VEBO:

2.8 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.75 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Paket / Koffer:

Power Mini-Form

Verpackung:

Spule

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

80 at 100 mA at 3 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Arbeitsfrequenz:

900 MHz

Typ:

HF-Silizium-Germanium

Breite:

2.5 mm

Marke:

CEL

Pd - Verlustleistung:

1900 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

NESG270034-T1-A, NESG270034-T, NESG27, NESG2, NESG, NES