IPD038N04N G

IPD038N04N G
Mfr. #:
IPD038N04N G
Hersteller:
I
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPD038N04N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
I
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
IPD038N04
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
IPD038N04NGBTMA1
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-252-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
94 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
5.2 ns
Anstiegszeit
4.2 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
90 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
3.8 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
20 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IPD038N04, IPD038, IPD03, IPD0, IPD
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ponent Stockers USA
90 A 40 V 0.0038 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
***ponent Sense
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 90A
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 90A, 40V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:94W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPD038N04NGBTMA1
DISTI # IPD038N04NGBTMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPD038N04NGBTMA1
    DISTI # IPD038N04NGBTMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      IPD038N04NGBTMA1
      DISTI # IPD038N04NGBTMA1DKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        IPD038N04NGBTMA1
        DISTI # IPD038N04NGBTMA1
        Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD038N04NGBTMA1)
        Min Qty: 807
        Container: Bulk
        Americas - 0
        • 8070:$0.3929
        • 4035:$0.4009
        • 2421:$0.4139
        • 1614:$0.4299
        • 807:$0.4459
        Bild Teil # Beschreibung
        IPD038N06N3 G

        Mfr.#: IPD038N06N3 G

        OMO.#: OMO-IPD038N06N3-G

        MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
        IPD038N06N3GATMA1

        Mfr.#: IPD038N06N3GATMA1

        OMO.#: OMO-IPD038N06N3GATMA1

        MOSFET MV POWER MOS
        IPD038N04NG

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        OMO.#: OMO-IPD038N04NG-1190

        Neu und Original
        IPD038N04NGBTMA1

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        OMO.#: OMO-IPD038N04NGBTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
        IPD038N06N3 G

        Mfr.#: IPD038N06N3 G

        OMO.#: OMO-IPD038N06N3-G-1190

        Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD038N06N3 G)
        IPD038N06N3G

        Mfr.#: IPD038N06N3G

        OMO.#: OMO-IPD038N06N3G-1190

        Neu und Original
        IPD038N06N3GATMA1

        Mfr.#: IPD038N06N3GATMA1

        OMO.#: OMO-IPD038N06N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
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        OMO.#: OMO-IPD038N04N-G-126

        IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2
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