GS66504B-E01-MR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

GaN-Systeme

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

GaN

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

GaNPX-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

7 V

Qg - Gate-Ladung:

6.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.51 mm

Länge:

6.6 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

GS6650x

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

GaN-Systeme

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

GS66504B-E01-MR

Tags

GS66504, GS6650, GS665, GS66, GS6