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IXFR32N100P

IXFR32N100P
Mfr. #:
IXFR32N100P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 32 Amps 1000V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFR32N100P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFR32N100P DatasheetIXFR32N100P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFR32N100P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
340 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
320 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Serie:
IXFR32N100
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
43 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
55 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
50 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
IXFR32, IXFR3, IXFR, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
***el Nordic
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Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFR32N100P
DISTI # IXFR32N100P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$17.1957
IXFR32N100P
DISTI # 747-IXFR32N100P		IXYS CorporationMOSFET 32 Amps 1000V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$21.3800
  • 10:$19.4400
  • 25:$17.9700
  • 50:$16.5400
  • 100:$16.1300
  • 250:$14.7900
  • 500:$13.4200
Bild Teil # Beschreibung
IXFR36N50P

Mfr.#: IXFR36N50P

OMO.#: OMO-IXFR36N50P

 MOSFET 500V 36A
IXFR36N60P

Mfr.#: IXFR36N60P

OMO.#: OMO-IXFR36N60P

 MOSFET 600V 20A
IXFR32N80Q3

Mfr.#: IXFR32N80Q3

OMO.#: OMO-IXFR32N80Q3

 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A
IXFR32N100P

Mfr.#: IXFR32N100P

OMO.#: OMO-IXFR32N100P

 MOSFET 32 Amps 1000V
IXFR38N80Q2

Mfr.#: IXFR38N80Q2

OMO.#: OMO-IXFR38N80Q2

 MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds
IXFR34N80

Mfr.#: IXFR34N80

OMO.#: OMO-IXFR34N80

 MOSFET 800V 28A
IXFR30N50

Mfr.#: IXFR30N50

OMO.#: OMO-IXFR30N50-1190

 Neu und Original
IXFR32N80P

Mfr.#: IXFR32N80P

OMO.#: OMO-IXFR32N80P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
IXFR38N80Q2

Mfr.#: IXFR38N80Q2

OMO.#: OMO-IXFR38N80Q2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds
IXFR30N50Q

Mfr.#: IXFR30N50Q

OMO.#: OMO-IXFR30N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
21,38 $
21,38 $
10
19,44 $
194,40 $
25
17,97 $
449,25 $
50
16,54 $
827,00 $
100
16,13 $
1 613,00 $
250
14,79 $
3 697,50 $
500
13,42 $
6 710,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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