IMW120R045M1XKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

52 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

59 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 10 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

52 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

228 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IMW120R045

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11.1 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

IMW120R045M1 SP001346254

Tags

IMW120R0, IMW12, IMW1, IMW