IXFH88N30P

IXFH88N30P
Mfr. #:
IXFH88N30P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH88N30P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH88N30P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
IXFH88N30
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
Polarer HiPerFET
Paket-Koffer
TO-247-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
600 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
25 ns
Anstiegszeit
24 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
88 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
300 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
40 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
96 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
25 ns
Qg-Gate-Ladung
180 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
40 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFH88, IXFH8, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
Mosfet Transistor, N Channel, 88 A, 300 V, 40 Mohm, 10 V, 5 V Rohs Compliant: Yes
***ure Electronics
N-Channel 300 V 88 A 40 mO Through Hole HiPerFET Power Mosfet - TO-247
***ical
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH88N30P
DISTI # 19778520
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
30
  • 25:$6.5334
  • 2:$6.7345
IXFH88N30P
DISTI # IXFH88N30P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 300V 88A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Box
Temporarily Out of Stock
  • 30:$9.2867
IXFH88N30P
DISTI # 58M7603
IXYS CorporationMOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes0
  • 500:$7.3700
  • 250:$8.0900
  • 100:$8.8600
  • 50:$9.0600
  • 25:$9.7500
  • 10:$11.7200
  • 1:$13.0200
IXFH88N30P
DISTI # 747-IXFH88N30P
IXYS CorporationMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 1:$13.0200
  • 10:$11.7200
  • 25:$9.7500
  • 50:$9.0600
  • 100:$8.8600
  • 250:$8.0900
  • 500:$7.3700
  • 1000:$7.0300
IXFH88N30P
DISTI # 193559P
IXYS CorporationMOSFET N-CHANNEL 300V 88A TO247, TU69
  • 15:£7.5600
  • 6:£7.9500
IXFH88N30P
DISTI # 1427303
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
RoHS: Compliant
27
  • 10:£8.1700
  • 5:£11.4700
  • 1:£12.0600
IXFH88N30P
DISTI # 1427303
IXYS CorporationMOSFET, N, TO-247
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$10.5900
  • 500:$11.1100
  • 250:$12.1900
  • 100:$13.3500
  • 50:$13.6500
  • 25:$14.6900
  • 10:$17.6600
  • 1:$19.6200
Bild Teil # Beschreibung
IXFH80N65X2-4

Mfr.#: IXFH80N65X2-4

OMO.#: OMO-IXFH80N65X2-4

MOSFET 650V/80A TO-247-4L
IXFH88N30P

Mfr.#: IXFH88N30P

OMO.#: OMO-IXFH88N30P

MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXFH80N30P3

Mfr.#: IXFH80N30P3

OMO.#: OMO-IXFH80N30P3

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFH80N10

Mfr.#: IXFH80N10

OMO.#: OMO-IXFH80N10

MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds
IXFH8N80

Mfr.#: IXFH8N80

OMO.#: OMO-IXFH8N80

MOSFET 8 Amps 800V 1.1 Rds
IXFH80N02

Mfr.#: IXFH80N02

OMO.#: OMO-IXFH80N02-1190

Neu und Original
IXFH80N085

Mfr.#: IXFH80N085

OMO.#: OMO-IXFH80N085-IXYS-CORPORATION

MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET
IXFH88N20Q

Mfr.#: IXFH88N20Q

OMO.#: OMO-IXFH88N20Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds
IXFH80N10

Mfr.#: IXFH80N10

OMO.#: OMO-IXFH80N10-IXYS-CORPORATION

MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds
IXFH8N80

Mfr.#: IXFH8N80

OMO.#: OMO-IXFH8N80-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 8 Amps 800V 1.1 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Menge
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ext. Preis
1
10,41 $
10,41 $
10
9,89 $
98,92 $
100
9,37 $
937,14 $
500
8,85 $
4 425,40 $
1000
8,33 $
8 330,20 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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