DMN2040LTS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

5.2 nC, 5.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN2040

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

6.1 ns, 6.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13.5 ns, 13.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19.8 ns, 19.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns, 5.2 ns

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

DMN2040, DMN204, DMN20, DMN2, DMN