FMV07N70E

FMV07N70E
Mfr. #:
FMV07N70E
Hersteller:
Fuji Electric Co Ltd
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D),600V,0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FMV07N70E Datenblatt
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FMV07, FMV0, FMV
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FMV07N70E
DISTI # FE0000000001062
Fuji Electric Co LtdPower Field-Effect Transistor, 17A I(D),600V,0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
RoHS: Compliant
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    FMV07N70E-S25PP-P
    DISTI # FE0000000004691
    Fuji Electric Co LtdMOSFET
    RoHS: Compliant
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      FMV07N70E-P
      DISTI # FE0000000004690
      Fuji Electric Co LtdMOSFET
      RoHS: Compliant
      0 in Stock0 on Order
        Bild Teil # Beschreibung
        FMV03N60E

        Mfr.#: FMV03N60E

        OMO.#: OMO-FMV03N60E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 3A I(D),600V,2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
        FMV05N60E

        Mfr.#: FMV05N60E

        OMO.#: OMO-FMV05N60E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D),600V,1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
        FMV06N60E

        Mfr.#: FMV06N60E

        OMO.#: OMO-FMV06N60E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 6A I(D),600V,1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
        FMV06N60ES

        Mfr.#: FMV06N60ES

        OMO.#: OMO-FMV06N60ES-1190

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        FMV06N90E

        Mfr.#: FMV06N90E

        OMO.#: OMO-FMV06N90E-1190

        Neu und Original
        FMV06N90ESC

        Mfr.#: FMV06N90ESC

        OMO.#: OMO-FMV06N90ESC-1190

        Neu und Original
        FMV07N50E

        Mfr.#: FMV07N50E

        OMO.#: OMO-FMV07N50E-1190

        Neu und Original
        FMV07N60S1

        Mfr.#: FMV07N60S1

        OMO.#: OMO-FMV07N60S1-1190

        Neu und Original
        FMV07N65E

        Mfr.#: FMV07N65E

        OMO.#: OMO-FMV07N65E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V,1ohm,1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
        FMV07N90E

        Mfr.#: FMV07N90E

        OMO.#: OMO-FMV07N90E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 19A I(D),600V,0.365ohm, 1-Element, N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET
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