NTHD4502NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

3.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.13 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.05 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTHD4502N

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.8 S

Abfallzeit:

12.6 ns, 5.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.6 ns, 5.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.6 ns, 14.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.8 ns, 6.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

NTHD4502, NTHD45, NTHD4, NTHD, NTH