C3M0075120K

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V, - 4 V

Qg - Gate-Ladung:

51 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

119 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.3 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

C3M007, C3M00, C3M0, C3M