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NGTB30N120IHSWG

NGTB30N120IHSWG
Mfr. #:
NGTB30N120IHSWG
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Transistors 1200/30A IGBT LPT TO-247
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NGTB30N120IHSWG Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
ON Semiconductor
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
NGTB30N120IHS
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-247-3
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-247
Aufbau
Single
Leistung max
192W
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
60A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
1200V
IGBT-Typ
Grabenfeldstopp
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
200A
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.4V @ 15V, 30A
Schaltenergie
1mJ (off)
Gate-Gebühr
220nC
Td-ein-aus-25°C
-/210ns
Testbedingung
600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Pd-Verlustleistung
192 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom-bei-25-C
60 A
Gate-Emitter-Leckstrom
100 nA
Maximale Gate-Emitter-Spannung
20 V
Tags
NGTB30N120I, NGTB30N12, NGTB30N1, NGTB30, NGTB3, NGTB, NGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***ark
IGBT Single Transistor, 60 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
***Semiconductor
IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
***ied Electronics & Automation
IGBT; 1200V; 30A; induction heating; TO247
***Components
IGBT 1200V 30A induction heating TO247
***ment14 APAC
IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3
***i-Key
IGBT 1200V 30A TO247
***nell
IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3; Corrente di Collettore CC:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):2V; Dissipazione di Potenza Pd:192W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:1.2kV; Modello Case Transistor:TO-247; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (15-Jan-2018); Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tipo di Transistor:IGBT
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NGTB30N120IHSWG
DISTI # NGTB30N120IHSWGOS-ND		ON SemiconductorIGBT 1200V 30A TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 120
Container: Tube		Limited Supply - Call
    NGTB30N120IHSWG
    DISTI # NGTB30N120IHSWG    		ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: NGTB30N120IHSWG)
    Min Qty: 166
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 166:$1.8900
    • 332:$1.8900
    • 498:$1.8900
    • 830:$1.8900
    • 1660:$1.7900
    NGTB30N120IHSWG
    DISTI # 70341221    		ON SemiconductorIGBT,1200V,30A,induction heating,TO247
    RoHS: Compliant    		0
    • 10:$2.6500
    • 50:$2.5200
    • 100:$2.3900
    • 250:$2.2700
    NGTB30N120IHSWG
    DISTI # 863-NGTB30N120IHSWG    		ON SemiconductorIGBT Transistors 1200/30A IGBT LPT TO-24
    RoHS: Compliant    		0
      NGTB30N120IHSWGON SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
      RoHS: Compliant      		6948
      • 1000:$1.9900
      • 500:$2.0900
      • 100:$2.1800
      • 25:$2.2700
      • 1:$2.4500
      Bild Teil # Beschreibung
      NGTB30N60L2WG

      Mfr.#: NGTB30N60L2WG

      OMO.#: OMO-NGTB30N60L2WG

      		 IGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247
      NGTB30N135IHRWG

      Mfr.#: NGTB30N135IHRWG

      OMO.#: OMO-NGTB30N135IHRWG

      		 IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
      NGTB30N120FL2WG

      Mfr.#: NGTB30N120FL2WG

      OMO.#: OMO-NGTB30N120FL2WG

      		 IGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
      NGTB30N120L2WG

      Mfr.#: NGTB30N120L2WG

      OMO.#: OMO-NGTB30N120L2WG

      		 IGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
      NGTB30N60SWG

      Mfr.#: NGTB30N60SWG

      OMO.#: OMO-NGTB30N60SWG

      		 IGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
      NGTB30N120IHSWG

      Mfr.#: NGTB30N120IHSWG

      OMO.#: OMO-NGTB30N120IHSWG

      		 IGBT Transistors 1200/30A IGBT LPT TO-24
      NGTB30N140IHR3WG

      Mfr.#: NGTB30N140IHR3WG

      OMO.#: OMO-NGTB30N140IHR3WG-1190

      		 Neu und Original
      NGTB30N120IHLWG

      Mfr.#: NGTB30N120IHLWG

      OMO.#: OMO-NGTB30N120IHLWG-ON-SEMICONDUCTOR

      		 IGBT Transistors 1200V/30A FS1 IGBT IH
      NGTB30N60FLWG

      Mfr.#: NGTB30N60FLWG

      OMO.#: OMO-NGTB30N60FLWG-ON-SEMICONDUCTOR

      		 IGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
      NGTB30N60FLWG 30N60FL

      Mfr.#: NGTB30N60FLWG 30N60FL

      OMO.#: OMO-NGTB30N60FLWG-30N60FL-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von NGTB30N120IHSWG dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      3,33 $
      3,33 $
      10
      3,16 $
      31,63 $
      100
      3,00 $
      299,70 $
      500
      2,83 $
      1 415,25 $
      1000
      2,66 $
      2 664,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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