R8002ANJFRGTL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263S-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

62 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.5 S

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

R8002A, R8002, R800, R80