NE3515S02-A

NE3515S02-A
Mfr. #:
NE3515S02-A
Hersteller:
CEL
Beschreibung:
RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NE3515S02-A Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3515S02-A DatasheetNE3515S02-A Datasheet (P4-P6)NE3515S02-A Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
CEL
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
pHEMT
Technologie:
GaAs
Gewinnen:
12.5 dB
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 3 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
88 mA
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Pd - Verlustleistung:
165 mW
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
S0-2
Verpackung:
Band schneiden
Arbeitsfrequenz:
12 GHz
Produkt:
HF-JFET
Typ:
GaAs pHEMT
Marke:
CEL
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
70 mS
NF - Rauschzahl:
0.3 dB
P1dB - Kompressionspunkt:
14 dBm
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
NE3515, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans FET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S-02
***et
Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NE3515S02-A
DISTI # NE3515S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3515S02-A
    DISTI # 551-NE3515S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      NE3510M04-A

      Mfr.#: NE3510M04-A

      OMO.#: OMO-NE3510M04-A

      RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
      NE3511S02A

      Mfr.#: NE3511S02A

      OMO.#: OMO-NE3511S02A-1190

      Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3511S02A)
      NE3512S02-T1D-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3511S02-A

      Mfr.#: NE3511S02-A

      OMO.#: OMO-NE3511S02-A-CEL

      RF JFET Transistors X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3512S02-T1C

      Mfr.#: NE3512S02-T1C

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

      Neu und Original
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Neu und Original
      NE3514S02-T10

      Mfr.#: NE3514S02-T10

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T10-1190

      Neu und Original
      NE3514S02-T1D

      Mfr.#: NE3514S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3514S02-T1D-1190

      Neu und Original
      NE3517S03-T1C

      Mfr.#: NE3517S03-T1C

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-1190

      Neu und Original
      NE3517S03-T1C-A

      Mfr.#: NE3517S03-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-A-CEL

      Trans JFET N-CH 4V 70mA GaAs HJFET 4-Pin Case S-03 T/R
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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