NE3512S02-T1D-A

NE3512S02-T1D-A
Mfr. #:
NE3512S02-T1D-A
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NE3512S02-T1D-A Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
RENESAS
Produktkategorie
IC-Chips
Verpackung
Spule
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
S0-2
Technologie
GaAs
Transistor-Typ
HFET
Gewinnen
13.5 dB
Pd-Verlustleistung
165 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 125 C
Arbeitsfrequenz
12 GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
70 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
55 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
NF-Geräusch-Abbildung
0.35 dB
Tags
NE3512S02-T1D-A, NE3512S02-T1D, NE3512S02-T, NE3512, NE351, NE35, NE3
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Anti-Static Bag
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Step3:
Packaging Boxes
*** Stop Electro
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET
***S
new, original packaged
***i-Key
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NE3512S02-T1D-A
DISTI # 551-NE3512S02-T1D-A
California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
RoHS: Compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    NE3512S02-T1C-A

    Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

    OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A

    RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
    NE3512S02-A

    Mfr.#: NE3512S02-A

    OMO.#: OMO-NE3512S02-A

    RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
    NE3512S02-T1D-A

    Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

    OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

    RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
    NE3512S02-T1C-A

    Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

    OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A-CEL

    RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
    NE3512S02-T1D-AJT

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    OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-AJT-1190

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    NE3512S02

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    NE3512S02-T1

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    NE3512S02-T1D-A/JT

    Mfr.#: NE3512S02-T1D-A/JT

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