NE3512S02-T1D-A/JT

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NE3512S02-T1D-A/JT
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NE3512S02-T1D-A/JT Datenblatt
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IC-Chips
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NE3512S02-T1D-A, NE3512S02-T1D, NE3512S02-T, NE3512, NE351, NE35, NE3
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NE3512S02-A
DISTI # NE3512S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 90
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3512S02-A
    DISTI # 551-NE3512S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
    RoHS: Compliant
    0
      NE3512S02-A
      DISTI # NE3512S02-A
      Renesas Electronics CorporationRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET0
        NE3512S02-A
        DISTI # C1S620200378815
        Renesas Electronics CorporationTrans JFET N-CH 4V 70mA HJFET 4-Pin Case S-02
        RoHS: Compliant
        8
        • 10:$0.8990
        Bild Teil # Beschreibung
        NE3512S02-T1C-A

        Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A

        RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
        NE3512S02-A

        Mfr.#: NE3512S02-A

        OMO.#: OMO-NE3512S02-A

        RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
        NE3512S02-T1D-A

        Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

        RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
        NE3512S02-A

        Mfr.#: NE3512S02-A

        OMO.#: OMO-NE3512S02-A-CEL

        RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
        NE3512S02

        Mfr.#: NE3512S02

        OMO.#: OMO-NE3512S02-1190

        Neu und Original
        NE3512S02-T1

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        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1-1190

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        NE3512S02-T1B

        Mfr.#: NE3512S02-T1B

        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1B-1190

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        NE3512S02-T1C

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        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

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        NE3512S02-T1D

        Mfr.#: NE3512S02-T1D

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        NE3512S02-T1D-A/JT

        Mfr.#: NE3512S02-T1D-A/JT

        OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-JT-1190

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