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NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A
Mfr. #:
NE3512S02-T1C-A
Hersteller:
CEL
Beschreibung:
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NE3512S02-T1C-A Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NE3512S02-T1C-A DatasheetNE3512S02-T1C-A Datasheet (P4-P6)NE3512S02-T1C-A Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
CEL
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HFET
Technologie:
GaAs
Gewinnen:
13.5 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 3 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
70 mA
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Pd - Verlustleistung:
165 mW
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
S0-2
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
12 GHz
Produkt:
HF-JFET
Typ:
GaAs HFET
Marke:
CEL
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
55 mS
NF - Rauschzahl:
0.35 dB
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
NE3512S02-T, NE3512, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Source Electronics
Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R / HJ-FET NCH 13.5DB S02
***ical
Trans JFET N-CH 4V 70mA HJFET 4-Pin Case S-02 T/R
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NE3512S02-T1C-A
DISTI # NE3512S02-T1C-ATR-ND		California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    NE3512S02-T1C-A
    DISTI # NE3512S02-T1C-ACT-ND    		California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      NE3512S02-T1C-A
      DISTI # NE3512S02-T1C-ADKR-ND      		California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        NE3512S02-T1C-ARenesas Electronics Corporation 
        RoHS: Not Compliant        		8000
        • 1000:$0.5900
        • 500:$0.6200
        • 100:$0.6500
        • 25:$0.6800
        • 1:$0.7300
        NE3512S02-T1C-A
        DISTI # 551-NE3512S02-T1C-A        		California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
        RoHS: Compliant        		0
          Bild Teil # Beschreibung
          NE3512S02-T1C-A

          Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A

          		 RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
          NE3512S02-T1D-A

          Mfr.#: NE3512S02-T1D-A

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-318

          		 RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
          NE3512S02-A

          Mfr.#: NE3512S02-A

          OMO.#: OMO-NE3512S02-A-CEL

          		 RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
          NE3512S02-T1C-A

          Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A-CEL

          		 RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
          NE3512S02-T1D-AJT

          Mfr.#: NE3512S02-T1D-AJT

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-AJT-1190

          		 Neu und Original
          NE3512S02

          Mfr.#: NE3512S02

          OMO.#: OMO-NE3512S02-1190

          		 Neu und Original
          NE3512S02-T1

          Mfr.#: NE3512S02-T1

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1-1190

          		 Neu und Original
          NE3512S02-T1B

          Mfr.#: NE3512S02-T1B

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1B-1190

          		 Neu und Original
          NE3512S02-T1C

          Mfr.#: NE3512S02-T1C

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-1190

          		 Neu und Original
          NE3512S02-T1D-A/JT

          Mfr.#: NE3512S02-T1D-A/JT

          OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-A-JT-1190

          		 Neu und Original
          Verfügbarkeit
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