IPB023N06N3 G

IPB023N06N3 G
Mfr. #:
IPB023N06N3 G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB023N06N3 G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IPB023N06
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
IPB023N06N3GATMA1
Gewichtseinheit
0.056438 oz
Paket-Koffer
TO-263-7
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Quint Quelle
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
214 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
23 ns
Anstiegszeit
90 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
140 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.3 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
62 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
31 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IPB023N06N3G, IPB023N06, IPB023, IPB02, IPB0, IPB
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB023N06N3GATMA1
DISTI # IPB023N06N3GATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPB023N06N3GATMA1
    DISTI # IPB023N06N3GATMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      IPB023N06N3GATMA1
      DISTI # IPB023N06N3GATMA1DKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        IPB023N06N3 G
        DISTI # 726-IPB023N06N3G
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6
        RoHS: Compliant
        0
          IPB023N06N3GInfineon Technologies AG140 A, 60 V, 0.0023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-26324
          • 13:$1.5750
          • 4:$2.1000
          • 1:$3.1500
          IPB023N06N3GInfineon Technologies AG 30
          • 3:$2.3520
          • 12:$1.5288
          Bild Teil # Beschreibung
          IPB023N04N

          Mfr.#: IPB023N04N

          OMO.#: OMO-IPB023N04N-1190

          Neu und Original
          IPB023N04NG

          Mfr.#: IPB023N04NG

          OMO.#: OMO-IPB023N04NG-1190

          Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
          IPB023N04NGATMA1

          Mfr.#: IPB023N04NGATMA1

          OMO.#: OMO-IPB023N04NGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
          IPB023N04NGS

          Mfr.#: IPB023N04NGS

          OMO.#: OMO-IPB023N04NGS-1190

          Neu und Original
          IPB023N06N3

          Mfr.#: IPB023N06N3

          OMO.#: OMO-IPB023N06N3-1190

          Neu und Original
          IPB023N06N3G

          Mfr.#: IPB023N06N3G

          OMO.#: OMO-IPB023N06N3G-1190

          140 A, 60 V, 0.0023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
          IPB023N06N3GATMA1

          Mfr.#: IPB023N06N3GATMA1

          OMO.#: OMO-IPB023N06N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
          IPB023N06N3 G

          Mfr.#: IPB023N06N3 G

          OMO.#: OMO-IPB023N06N3-G-126

          IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6
          IPB023N04N G

          Mfr.#: IPB023N04N G

          OMO.#: OMO-IPB023N04N-G-126

          IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A D2PAK-2
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