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IXFN27N80Q

IXFN27N80Q
Mfr. #:
IXFN27N80Q
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN27N80Q Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Modul
Serie
IXFN27N80
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
38 g
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
HyperFET
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Dual Source
Paket-Koffer
SOT-227-4
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
520 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
13 ns
Anstiegszeit
28 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
27 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
800 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
320 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
50 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN27, IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ukat
N-Ch 800V 27A 520W 0,32R SOT227B
***pNet
N CH MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B;
***ark
N Channel Mosfet, 800V, 27A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:27A; On Resistance Rds(On):0.32Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN27N80Q
DISTI # IXFN27N80Q-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$29.7850
IXFN27N80Q
DISTI # 14J1686		IXYS CorporationN CHANNEL MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:27A,Drain Source Voltage Vds:800V,On Resistance Rds(on):0.32ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4.5V,MSL:- RoHS Compliant: Yes8
  • 250:$23.3400
  • 100:$25.4400
  • 50:$26.2100
  • 25:$27.1100
  • 10:$28.0000
  • 5:$28.9000
  • 1:$29.7900
IXFN27N80Q
DISTI # 747-IXFN27N80Q		IXYS CorporationMOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$29.7900
  • 30:$27.3700
  • 50:$26.2100
  • 100:$25.4400
  • 200:$23.3400
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant		8
  • 100:$41.0200
  • 10:$43.3500
  • 1:$44.1800
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B8
  • 10:£21.3600
  • 5:£21.6700
  • 1:£21.9800
Bild Teil # Beschreibung
IXFN210N30P3

Mfr.#: IXFN210N30P3

OMO.#: OMO-IXFN210N30P3

 MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P

 MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFN240N15T2

Mfr.#: IXFN240N15T2

OMO.#: OMO-IXFN240N15T2

 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90

 MOSFET 900V 26A
IXFN280N07

Mfr.#: IXFN280N07

OMO.#: OMO-IXFN280N07

 MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN22N55

Mfr.#: IXFN22N55

OMO.#: OMO-IXFN22N55-1190

 Neu und Original
IXFN250N06

Mfr.#: IXFN250N06

OMO.#: OMO-IXFN250N06-1190

 Neu und Original
IXFN20N120

Mfr.#: IXFN20N120

OMO.#: OMO-IXFN20N120-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 900V 26A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
35,01 $
35,01 $
10
33,26 $
332,60 $
100
31,51 $
3 150,90 $
500
29,76 $
14 879,25 $
1000
28,01 $
28 008,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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