TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6
Mfr. #:
TH58NYG3S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NYG3S0HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NYG3, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58NYG3S0HBAI6
DISTI # V36:1790_16023462
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA0
  • 338000:$5.1510
  • 169000:$5.1570
  • 33800:$6.0750
  • 3380:$8.0490
  • 338:$8.4000
TH58NYG3S0HBAI6
DISTI # TH58NYG3S0HBAI6-ND
Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
287In Stock
  • 1014:$6.0244
  • 676:$6.2430
  • 338:$6.5644
  • 100:$6.7696
  • 50:$7.5460
  • 25:$7.5728
  • 10:$7.7340
  • 1:$8.4000
TH58NYG3S0HBAI6
DISTI # TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58NYG3S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Americas - 0
  • 3380:$5.0900
  • 2028:$5.1900
  • 1352:$5.2900
  • 338:$5.4900
  • 676:$5.4900
TH58NYG3S0HBAI6_TRAY
DISTI # TH58NYG3S0HBAI6_TRAY
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TH58NYG3S0HBAI6_TRAY)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1000:€4.8900
  • 500:€5.1900
  • 100:€5.3900
  • 50:€5.5900
  • 25:€5.8900
  • 10:€6.0900
  • 1:€6.6900
TH58NYG3S0HBAI6
DISTI # 757-TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant
338
  • 1:$8.4000
  • 10:$7.7300
  • 25:$7.5700
  • 50:$7.5500
  • 100:$6.7700
  • 250:$6.5600
  • 500:$6.2400
  • 1000:$6.0200
Bild Teil # Beschreibung
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4

NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI6

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NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI6

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NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

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8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S5FBAID

Mfr.#: TH58NYG4S5FBAID

OMO.#: OMO-TH58NYG4S5FBAID-1190

Neu und Original
TH58NYG2S3HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-ND-1190

Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI4-ND

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Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI6

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NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
TH58NYG3S0HBAI6-ND

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Verfügbarkeit
Aktie:
338
Auf Bestellung:
2321
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,40 $
8,40 $
10
7,73 $
77,30 $
25
7,57 $
189,25 $
50
7,55 $
377,50 $
100
6,77 $
677,00 $
250
6,56 $
1 640,00 $
500
6,24 $
3 120,00 $
1000
6,02 $
6 020,00 $
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