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TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4
Mfr. #:
TH58NYG2S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NYG2S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Block löschen
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash 1.8V 4Gbit 63-Pin BGA
***ronik
NAND-Flash 512Mx8 1.8V BGA63
***i-Key
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # TH58NYG2S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$5.7350
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # TH58NYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash 1.8V 4Gbit 63-Pin BGA - Trays (Alt: TH58NYG2S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$4.7900
  • 420:$4.6900
  • 840:$4.5900
  • 1260:$4.5900
  • 2100:$4.3900
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # 757-TH58NYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		210
  • 1:$7.7500
  • 10:$6.9800
  • 25:$6.3600
  • 100:$5.7400
  • 250:$5.2800
  • 500:$4.8100
  • 1000:$4.1900
Bild Teil # Beschreibung
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4

 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6

 NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI6

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S0FBAID

Mfr.#: TH58NYG4S0FBAID

OMO.#: OMO-TH58NYG4S0FBAID-1190

 Neu und Original
TH58NYG4S5FBAID

Mfr.#: TH58NYG4S5FBAID

OMO.#: OMO-TH58NYG4S5FBAID-1190

 Neu und Original
TH58NYG2S3HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-ND-1190

 Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-ND-1190

 Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
TH58NYG3S0HBAI6-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6-ND-1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
210
Auf Bestellung:
2193
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Referenzpreis (USD)
Menge
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ext. Preis
1
5,34 $
5,34 $
10
4,87 $
48,70 $
25
4,78 $
119,50 $
50
4,75 $
237,50 $
100
4,26 $
426,00 $
250
4,24 $
1 060,00 $
500
3,98 $
1 990,00 $
1000
3,81 $
3 810,00 $
2500
3,56 $
8 900,00 $
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