TH58NYG2S3HBAI6

TH58NYG2S3HBAI6
Mfr. #:
TH58NYG2S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NYG2S3HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4

NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4

NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6

NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI6

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI6

NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S0FBAID

Mfr.#: TH58NYG4S0FBAID

OMO.#: OMO-TH58NYG4S0FBAID-1190

Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-ND-1190

Neu und Original
TH58NYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
TH58NYG3S0HBAI6-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6-ND-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von TH58NYG2S3HBAI6 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
210
4,10 $
861,00 $
420
4,08 $
1 713,60 $
630
3,82 $
2 406,60 $
1050
3,66 $
3 843,00 $
2520
3,43 $
8 643,60 $
Beginnen mit
Top