IXFH6N100Q

IXFH6N100Q
Mfr. #:
IXFH6N100Q
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH6N100Q Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXFH6N100
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
TO-247-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
180 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
15 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1.9 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
22 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFH6N10, IXFH6N1, IXFH6N, IXFH6, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH6N100Q
DISTI # IXFH6N100Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
51In Stock
  • 510:$5.7815
  • 120:$6.9005
  • 30:$7.6467
  • 10:$8.3930
  • 1:$9.3300
IXFH6N100Q
DISTI # 747-IXFH6N100Q
IXYS CorporationMOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
RoHS: Compliant
13
  • 1:$10.7200
  • 10:$9.6500
  • 25:$8.0300
  • 50:$7.4600
  • 100:$7.2900
  • 250:$6.6600
  • 500:$6.0700
  • 1000:$5.7900
Bild Teil # Beschreibung
IXFH6N100Q

Mfr.#: IXFH6N100Q

OMO.#: OMO-IXFH6N100Q

MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
IXFH60N20F

Mfr.#: IXFH60N20F

OMO.#: OMO-IXFH60N20F-1190

MOSFET
IXFH60N65X2

Mfr.#: IXFH60N65X2

OMO.#: OMO-IXFH60N65X2-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
IXFH65N06

Mfr.#: IXFH65N06

OMO.#: OMO-IXFH65N06-1190

Neu und Original
IXFH6N100F

Mfr.#: IXFH6N100F

OMO.#: OMO-IXFH6N100F-IXYS-RF

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
IXFH69N30P

Mfr.#: IXFH69N30P

OMO.#: OMO-IXFH69N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
IXFH6N90

Mfr.#: IXFH6N90

OMO.#: OMO-IXFH6N90-IXYS-CORPORATION

MOSFET 900V 6A
IXFH6N100Q

Mfr.#: IXFH6N100Q

OMO.#: OMO-IXFH6N100Q-IXYS-CORPORATION

MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
IXFH6N100

Mfr.#: IXFH6N100

OMO.#: OMO-IXFH6N100-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1KV 6A
IXFH6N120

Mfr.#: IXFH6N120

OMO.#: OMO-IXFH6N120-IXYS-CORPORATION

MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2000
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,67 $
8,67 $
10
8,24 $
82,39 $
100
7,80 $
780,50 $
500
7,37 $
3 685,70 $
1000
6,94 $
6 937,80 $
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