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IPI076N12N3 G

IPI076N12N3 G
Mfr. #:
IPI076N12N3 G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI076N12N3 G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
120 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
76 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
188 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Serie:
OptiMOS 3
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
50 nS
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
39 nS
Teil # Aliase:
IPI076N12N3GAKSA1 IPI76N12N3GXK SP000652738
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI076N12N3G, IPI076N12, IPI076, IPI07, IPI0, IPI
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI076N12N3GAKSA1
DISTI # V36:1790_06382959		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
RoHS: Compliant		350
  • 10000:$1.9290
  • 5000:$2.0560
  • 1000:$2.2700
  • 500:$2.5500
IPI076N12N3GAKSA1
DISTI # IPI076N12N3GAKSA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 500:$1.8450
IPI076N12N3GAKSA1
DISTI # 30329792		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
RoHS: Compliant		350
  • 350:$2.5500
IPI076N12N3 G
DISTI # SP000652738		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin TO-262 Tube (Alt: SP000652738)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		Europe - 0
  • 1:€1.5900
  • 10:€1.3900
  • 25:€1.2900
  • 50:€1.2900
  • 100:€1.1900
  • 500:€1.1900
  • 1000:€1.0900
IPI076N12N3GXK
DISTI # IPI076N12N3GAKSA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI076N12N3GAKSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Americas - 0
  • 500:$1.3900
  • 1000:$1.3900
  • 2000:$1.2900
  • 3000:$1.2900
  • 5000:$1.1900
IPI076N12N3 G
DISTI # 726-IPI076N12N3G		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.6800
  • 10:$2.2800
  • 100:$1.9800
  • 250:$1.8700
  • 500:$1.6800
IPI076N12N3GAKSA1
DISTI # IPI076N12N3GAKSA1		Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,120V,100A,168W,PG-TO262-3433
  • 1:$2.4800
  • 3:$2.1300
  • 10:$1.7100
  • 100:$1.4900
Bild Teil # Beschreibung
IPI076N12N3 G

Mfr.#: IPI076N12N3 G

OMO.#: OMO-IPI076N12N3-G

 MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
IPI076N15N5AKSA1

Mfr.#: IPI076N15N5AKSA1

OMO.#: OMO-IPI076N15N5AKSA1

 MOSFET
IPI076N15N5AKSA1

Mfr.#: IPI076N15N5AKSA1

OMO.#: OMO-IPI076N15N5AKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MV POWER MOS
IPI076N12N3GXK

Mfr.#: IPI076N12N3GXK

OMO.#: OMO-IPI076N12N3GXK-1190

 Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI076N12N3GAKSA1)
IPI076N12N3

Mfr.#: IPI076N12N3

OMO.#: OMO-IPI076N12N3-1190

 Neu und Original
IPI076N12N3G

Mfr.#: IPI076N12N3G

OMO.#: OMO-IPI076N12N3G-1190

 Neu und Original
IPI076N12N3GAKSA1

Mfr.#: IPI076N12N3GAKSA1

OMO.#: OMO-IPI076N12N3GAKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
IPI076N12N3 G

Mfr.#: IPI076N12N3 G

OMO.#: OMO-IPI076N12N3-G-124

 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Verfügbarkeit
Aktie:
500
Auf Bestellung:
2483
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
2,67 $
2,67 $
10
2,27 $
22,70 $
100
1,97 $
197,00 $
250
1,87 $
467,50 $
500
1,67 $
835,00 $
1000
1,41 $
1 410,00 $
2500
1,34 $
3 350,00 $
5000
1,29 $
6 450,00 $
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