TK8Q65W,S1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

80 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.1 mm

Länge:

6.65 mm

Serie:

TK8Q65W

Breite:

2.3 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

TK8Q65, TK8Q, TK8