SIHB33N60ET1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

98 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

103 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

278 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

E

Breite:

9.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

48 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

161 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

SIHB33, SIHB3, SIHB, SIH