GT50J

GT50J101 vs GT50J102 vs GT50J102(Q)

 
PartNumberGT50J101GT50J102GT50J102(Q)
DescriptionINSTOCKIGBT, 600V, TO-3P(LH)
ManufacturerTOSHIBA--
Product CategoryIC Chips--
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
Toshiba
Toshiba
GT50JR22(STA1,E,S) IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps
GT50J101 INSTOCK
GT50J102 IGBT, 600V, TO-3P(LH)
GT50J102(Q) Neu und Original
GT50J102Q Neu und Original
GT50J121 Neu und Original
GT50J121(Q) Neu und Original
GT50J122 Neu und Original
GT50J301 Neu und Original
GT50J301(Q) Neu und Original
GT50J301Q Neu und Original
GT50J321 Neu und Original
GT50J322 Neu und Original
GT50J322(Q) Neu und Original
GT50J322,GT30J122, Neu und Original
GT50J322,GT30J122A Neu und Original
GT50J322B Neu und Original
GT50J322H Neu und Original
GT50J323 Neu und Original
GT50J324 Neu und Original
GT50J325 IGBT, 600V, TO-3P(LH), DC Collector Current:50A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V, Power Dissipation Pd:240W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operat
GT50J325(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH)
GT50J327 Neu und Original
GT50J328 Neu und Original
GT50J341 Neu und Original
GT50J342 Neu und Original
GT50J342,Q(O Neu und Original
GT50J342Q(0 Neu und Original
GT50JR21 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, TU
GT50JR21(STA1,E,S) Neu und Original
GT50JR21(STA1ES) IGBTs (Alt: GT50JR21(STA1,E,S))
GT50JR21STA1 IGBT Transistors LOW SATURATION/FAST SWITCHING
GT50JR22 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, EA
GT50JR22(S1WD E S Neu und Original
GT50JR22(S1WDES Neu und Original
GT50JR22(S1WLD E S Neu und Original
GT50JR22(S1WLD,E,STOSHIB Neu und Original
GT50JR22(S1WLDES Neu und Original
GT50JR22(STA1,E,S) Neu und Original
GT50JR22(STA1ES) Neu und Original
GT50JR22,50JR22 Neu und Original
GT50J121(Q)-ND Neu und Original
GT50J341,Q(O) IGBT Chip
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