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BSP296E6327

BSP296E6327
Mfr. #:
BSP296E6327
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSP296E6327 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
N
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-223-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
620 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
1.79 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.6 mm
Länge:
6.5 mm
Produkt:
MOSFET Kleinsignal
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
SIPMOS Kleinsignaltransistor
Breite:
3.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
1.2 S / 0.6 S
Abfallzeit:
21.4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
7.9 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
37.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
5.2 ns
Gewichtseinheit:
0.003951 oz
Tags
BSP296E63, BSP296E, BSP296, BSP29, BSP2, BSP
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ponent Sense
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSP296E6327
DISTI # BSP296INTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    BSP296E6327
    DISTI # BSP296INCT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      BSP296L6327HTSA1
      DISTI # BSP296L6327HTSA1TR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 2000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Limited Supply - Call
        BSP296E6327
        DISTI # 726-BSP296E6327        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
        RoHS: Not compliant        		0
          BSP296E6327SiemensPower Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Not Compliant          		Europe - 2545
            BSP296E6327Infineon Technologies AGINSTOCK525
              BSP296E6327-01Infineon Technologies AGINSTOCK88
                BSP296-E6327siem97 10352
                  Bild Teil # Beschreibung
                  BSP296N H6433

                  Mfr.#: BSP296N H6433

                  OMO.#: OMO-BSP296N-H6433

                  		 MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
                  BSP299L3627

                  Mfr.#: BSP299L3627

                  OMO.#: OMO-BSP299L3627-1190

                  		 Neu und Original
                  BSP295

                  Mfr.#: BSP295

                  OMO.#: OMO-BSP295-1190

                  		 MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.8A, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.8A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.22ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,
                  BSP295L6327

                  Mfr.#: BSP295L6327

                  OMO.#: OMO-BSP295L6327-1190

                  		 Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
                  BSP295L6327HTSA1

                  Mfr.#: BSP295L6327HTSA1

                  OMO.#: OMO-BSP295L6327HTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

                  		 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
                  BSP296

                  Mfr.#: BSP296

                  OMO.#: OMO-BSP296-1190

                  		 N CHANNEL MOSFET, 100V, 1A, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.8ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Thr
                  BSP298E6327

                  Mfr.#: BSP298E6327

                  OMO.#: OMO-BSP298E6327-1190

                  		 0.45 A, 400 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
                  BSP299-L6327

                  Mfr.#: BSP299-L6327

                  OMO.#: OMO-BSP299-L6327-1190

                  		 Neu und Original
                  BSP299L6327HUSA1

                  Mfr.#: BSP299L6327HUSA1

                  OMO.#: OMO-BSP299L6327HUSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

                  		 MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
                  BSP295H6327XTSA1

                  Mfr.#: BSP295H6327XTSA1

                  OMO.#: OMO-BSP295H6327XTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

                  		 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
                  Verfügbarkeit
                  Aktie:
                  Available
                  Auf Bestellung:
                  4500
                  Menge eingeben:
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