SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3
Mfr. #:
SIHB22N60EL-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHB22N60EL-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB22N60EL-GE3 DatasheetSIHB22N60EL-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHB22N60EL-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
180 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
57 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
227 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.83 mm
Länge:
10.67 mm
Breite:
9.65 mm
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
35 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
27 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
18 ns
Gewichtseinheit:
0.077603 oz
Tags
SIHB22N60E, SIHB22N60, SIHB22, SIHB2, SIHB, SIH
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Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin D2PAK
***ark
N-Channel 600V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHB22N60EL-GE3
DISTI # SIHB22N60EL-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO263
RoHS: Not compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$2.2344
SIHB22N60EL-GE3
DISTI # SIHB22N60EL-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB22N60EL-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 30000:$1.9900
  • 12000:$2.0900
  • 18000:$2.0900
  • 6000:$2.1900
  • 3000:$2.2900
SIHB22N60EL-GE3
DISTI # SIHB22N60EL-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin D2PAK (Alt: SIHB22N60EL-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1000:€2.1900
  • 50:€2.2900
  • 100:€2.2900
  • 500:€2.2900
  • 25:€2.5900
  • 10:€3.1900
  • 1:€4.0900
SIHB22N60EL-GE3
DISTI # 78-SIHB22N60EL-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant
0
  • 1:$4.4900
  • 10:$3.7200
  • 100:$3.0600
  • 250:$2.9700
  • 500:$2.6600
  • 1000:$2.2400
  • 3000:$2.1300
Bild Teil # Beschreibung
SIHB22N60EF-GE3

Mfr.#: SIHB22N60EF-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60EF-GE3

MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
SIHB22N60AEL-GE3

Mfr.#: SIHB22N60AEL-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60AEL-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB22N60AE-GE3

Mfr.#: SIHB22N60AE-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60AE-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB22N65E-GE3

Mfr.#: SIHB22N65E-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N65E-GE3

MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB22N60ET1-GE3

Mfr.#: SIHB22N60ET1-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60ET1-GE3

MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
SIHB22N60AEL-GE3

Mfr.#: SIHB22N60AEL-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60AEL-GE3-VISHAY

MOSFET N-CHAN 600V
SIHB22N60E-GE3

Mfr.#: SIHB22N60E-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60E-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
SIHB22N60SE3

Mfr.#: SIHB22N60SE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60SE3-1190

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
SIHB22N60SGE3

Mfr.#: SIHB22N60SGE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60SGE3-1190

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
SIHB22N60EL-GE3

Mfr.#: SIHB22N60EL-GE3

OMO.#: OMO-SIHB22N60EL-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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4,49 $
10
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37,20 $
100
3,06 $
306,00 $
250
2,97 $
742,50 $
500
2,66 $
1 330,00 $
1000
2,24 $
2 240,00 $
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