IXTY08N100P

IXTY08N100P
Mfr. #:
IXTY08N100P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTY08N100P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXTY08N100
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.012346 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-252-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
42 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
34 ns
Anstiegszeit
37 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
800 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
20 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
19 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTY08N10, IXTY08N1, IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-252
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
***trelec
MOSFET [Ixys] IXTY08N100P MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTY08N100P
DISTI # IXTY08N100P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 70:$2.3376
IXTY08N100P
DISTI # 747-IXTY08N100P
IXYS CorporationMOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
RoHS: Compliant
594
  • 1:$3.0200
  • 10:$2.7400
  • 25:$2.3800
  • 50:$2.2300
  • 100:$2.2000
  • 250:$1.7900
  • 500:$1.7100
  • 1000:$1.4200
  • 2500:$1.1900
Bild Teil # Beschreibung
IXTY02N120P-TRL

Mfr.#: IXTY02N120P-TRL

OMO.#: OMO-IXTY02N120P-TRL

Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
IXTY08N100P-TRL

Mfr.#: IXTY08N100P-TRL

OMO.#: OMO-IXTY08N100P-TRL

Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
IXTY02N50D

Mfr.#: IXTY02N50D

OMO.#: OMO-IXTY02N50D

MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY02N50D_TRL

Mfr.#: IXTY02N50D_TRL

OMO.#: OMO-IXTY02N50D-TRL

MOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
IXTY08N50D2

Mfr.#: IXTY08N50D2

OMO.#: OMO-IXTY08N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
IXTY01N100DTRL

Mfr.#: IXTY01N100DTRL

OMO.#: OMO-IXTY01N100DTRL-1190

Neu und Original
IXTY01N100D TR

Mfr.#: IXTY01N100D TR

OMO.#: OMO-IXTY01N100D-TR-1190

IXTY01N100D TR
IXTY01N100D TRL

Mfr.#: IXTY01N100D TRL

OMO.#: OMO-IXTY01N100D-TRL-1190

IXTY01N100D TRL
IXTY02N50D

Mfr.#: IXTY02N50D

OMO.#: OMO-IXTY02N50D-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY02N120P

Mfr.#: IXTY02N120P

OMO.#: OMO-IXTY02N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 0.2Amps 1200V
Verfügbarkeit
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Available
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1
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1,78 $
10
1,70 $
16,96 $
100
1,61 $
160,65 $
500
1,52 $
758,65 $
1000
1,43 $
1 428,00 $
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