SIHFR1N60ATR-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

36 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

SIHFR

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.88 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.8 ns

Tags

SIHFR1N, SIHFR1, SIHFR, SIHF, SIH