IXFT150N17T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

175 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

150 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

233 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

880 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Gewichtseinheit:

0.141096 oz

Tags

IXFT150, IXFT15, IXFT1, IXFT, IXF