SIHF22N60S-E3

SIHF22N60S-E3
Mfr. #:
SIHF22N60S-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHF22N60S-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
E
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.211644 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-220-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
250 W
Abfallzeit
59 ns
Anstiegszeit
68 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
22 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
160 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
77 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
24 ns
Qg-Gate-Ladung
75 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
9.4 S
Tags
SIHF22N60, SIHF22, SIHF2, SIHF, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***C
MOSFET N CHANNEL 600V 22A TO220 MOSFET N CHANNEL 600V 22A TO220
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
***ure Electronics
S-Series N-Channel 600 V 0.19 O 98 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 600V, 22A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:22A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHF22N60S-E3
DISTI # 74R4463
Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 600V, 22A, TO220,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:22A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.16ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,MSL:- RoHS Compliant: Yes0
    SIHF22N60S-E3
    DISTI # 781-SIHF22N60S-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP
    RoHS: Compliant
    0
      SIHF22N60S-E3Vishay Intertechnologies 127
        SIHF22N60S-E3
        DISTI # 1794785
        Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CH, 600V, 22A, TO220
        RoHS: Compliant
        0
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        Bild Teil # Beschreibung
        SIHF22N60E-GE3

        Mfr.#: SIHF22N60E-GE3

        OMO.#: OMO-SIHF22N60E-GE3

        MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
        SIHF22N60E-E3

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        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
        SIHF22N60E-E3

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        OMO.#: OMO-SIHF22N60E-E3-VISHAY

        IGBT Transistors MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
        SIHF22N60S-E3

        Mfr.#: SIHF22N60S-E3

        OMO.#: OMO-SIHF22N60S-E3-126

        IGBT Transistors MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP
        SIHF22N65E-GE3

        Mfr.#: SIHF22N65E-GE3

        OMO.#: OMO-SIHF22N65E-GE3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
        SIHF22N60E-GE3

        Mfr.#: SIHF22N60E-GE3

        OMO.#: OMO-SIHF22N60E-GE3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET 600V 180mOhms@10V 21A N-Ch E-SRS
        SIHF22N60

        Mfr.#: SIHF22N60

        OMO.#: OMO-SIHF22N60-1190

        Neu und Original
        SIHF22N60E

        Mfr.#: SIHF22N60E

        OMO.#: OMO-SIHF22N60E-1190

        Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
        SIHF22N65E

        Mfr.#: SIHF22N65E

        OMO.#: OMO-SIHF22N65E-1190

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        SIHF22N6OE-E3

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        OMO.#: OMO-SIHF22N6OE-E3-1190

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