DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7
Mfr. #:
DMN61D8LVT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN61D8LVT-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Eingebaute Dioden
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
DMN61
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
TSOT-26
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
820mW
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
60V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
12.9pF @ 12V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
630mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
0.74nC @ 5V
Pd-Verlustleistung
820 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
440 ns 440 ns
Anstiegszeit
301 ns 301 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
630 mA 630 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V 60 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.3 V 1.3 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.4 Ohms 2.4 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
582 ns 582 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
131 ns 131 ns
Qg-Gate-Ladung
0.74 nC 0.74 nC
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 60 V 1.8 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TSOT-26
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DICT-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
13In Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DIDKR-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
13In Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7DITR-ND
Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
On Order
  • 3000:$0.1817
DMN61D8LVT-7
DISTI # DMN61D8LVT-7
Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN61D8LVT-7)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.1279
  • 6000:$0.1209
  • 12000:$0.1159
  • 18000:$0.1099
  • 30000:$0.1079
DMN61D8LVT-7
DISTI # 621-DMN61D8LVT-7
Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
RoHS: Compliant
29
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3850
  • 100:$0.2350
  • 1000:$0.1820
  • 3000:$0.1550
DMN61D8LVT-13
DISTI # 621-DMN61D8LVT-13
Diodes IncorporatedMOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3850
  • 100:$0.2350
  • 1000:$0.1820
  • 2500:$0.1550
Bild Teil # Beschreibung
DMN61D9UWQ-7

Mfr.#: DMN61D9UWQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D9UWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMN61D8L-7

Mfr.#: DMN61D8L-7

OMO.#: OMO-DMN61D8L-7

MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
DMN61D8LVTQ-7

Mfr.#: DMN61D8LVTQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVTQ-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
DMN61D9U-13

Mfr.#: DMN61D9U-13

OMO.#: OMO-DMN61D9U-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
DMN61D8L-13

Mfr.#: DMN61D8L-13

OMO.#: OMO-DMN61D8L-13

MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D9UDW-7

Mfr.#: DMN61D9UDW-7

OMO.#: OMO-DMN61D9UDW-7-DIODES

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN61D8LVT-7

Mfr.#: DMN61D8LVT-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVT-7-DIODES

IGBT Transistors MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
DMN61D8LVTQ-7

Mfr.#: DMN61D8LVTQ-7

OMO.#: OMO-DMN61D8LVTQ-7-DIODES

IGBT Transistors MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
DMN61D8LVT-13

Mfr.#: DMN61D8LVT-13

OMO.#: OMO-DMN61D8LVT-13-DIODES

MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMN61D9U-7

Mfr.#: DMN61D9U-7

OMO.#: OMO-DMN61D9U-7-DIODES

MOSFET N-CH 60V 0.38A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,16 $
0,16 $
10
0,15 $
1,54 $
100
0,15 $
14,57 $
500
0,14 $
68,80 $
1000
0,13 $
129,50 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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