NE3510M04-A

NE3510M04-A
Mfr. #:
NE3510M04-A
Hersteller:
CEL
Beschreibung:
RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NE3510M04-A Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
CEL
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
FTSMM-4 (M04)
Technologie
GaAs
Transistor-Typ
HFET
Gewinnen
16 dB
Pd-Verlustleistung
125 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Arbeitsfrequenz
4 GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
97 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
70 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
Gate-Source-Cutoff-Spannung
- 0.7 V
NF-Geräusch-Abbildung
0.45 dB
P1dB-Kompressionspunkt
11 dBm
Tags
NE3510, NE351, NE35, NE3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans JFET N-CH 4V 97mA 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold
***i-Key
FET RF 4V 4GHZ M04
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NE3510M04-A
DISTI # NE3510M04-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF 4V 4GHZ M04
RoHS: Compliant
Min Qty: 120
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3510M04-A
    DISTI # 551-NE3510M04-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      NE3515S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3515S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3515S02-T1C-A

      RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
      NE3512S02-T1C-A

      Mfr.#: NE3512S02-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1C-A

      RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
      NE3511S02A

      Mfr.#: NE3511S02A

      OMO.#: OMO-NE3511S02A-1190

      Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3511S02A)
      NE3515S02-T1D-A

      Mfr.#: NE3515S02-T1D-A

      OMO.#: OMO-NE3515S02-T1D-A-CEL

      RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
      NE3514S02-A

      Mfr.#: NE3514S02-A

      OMO.#: OMO-NE3514S02-A-CEL

      RF JFET Transistors K Band Super Low Noise Amp N-Ch
      NE3510M04T2

      Mfr.#: NE3510M04T2

      OMO.#: OMO-NE3510M04T2-1190

      Neu und Original
      NE3512S02

      Mfr.#: NE3512S02

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      NE3517S03-T1C

      Mfr.#: NE3517S03-T1C

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