IRFHM830TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

31 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.7 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

52 S

Abfallzeit:

9.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

SP001560438

Gewichtseinheit:

0.070548 oz

Tags

IRFHM830T, IRFHM830, IRFHM83, IRFHM8, IRFHM, IRFH, IRF