NTLJS3113PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

670 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTLJS3113P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.9 S

Abfallzeit:

56.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000317 oz

Tags

NTLJS3113P, NTLJS311, NTLJS31, NTLJS3, NTLJS, NTLJ, NTL