TGF2929-HM

TGF2929-HM
Mfr. #:
TGF2929-HM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2929-HM Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
TGF
Verpackung
Waffel
Teil-Aliasnamen
1135635
Montageart
SMD/SMT
Betriebstemperaturbereich
- 40 C to + 85 C
Paket-Koffer
Flange Ceramic-2
Technologie
GaN SiC
Aufbau
Single
Transistor-Typ
HEMT
Gewinnen
17.4 dB
Ausgangsleistung
132 W
Pd-Verlustleistung
140 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 85 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 40 C
Arbeitsfrequenz
DC to 3.5 GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
7.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
50 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Entwicklungs-Kit
TGF2929-HM EVB1
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 2.8 V
Tags
TGF292, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 17.4 dB, 28 V, GaN, NI-360 Hermetic
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2929-HM
DISTI # 772-TGF2929-HM
QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
RoHS: Compliant
0
  • 25:$338.4400
TGF2929-HM-EVB
DISTI # 772-TGF2929-HM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
TGF2929-HM

Mfr.#: TGF2929-HM

OMO.#: OMO-TGF2929-HM

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
TGF2957

Mfr.#: TGF2957

OMO.#: OMO-TGF2957

RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
TGF2936

Mfr.#: TGF2936

OMO.#: OMO-TGF2936

RF JFET Transistors DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN
TGF2929-FL

Mfr.#: TGF2929-FL

OMO.#: OMO-TGF2929-FL

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2979-SM

Mfr.#: TGF2979-SM

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-318

RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
TGF2956

Mfr.#: TGF2956

OMO.#: OMO-TGF2956-318

RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
TGF2929-FS/FL, 3.1-3.5GHZ EVB

Mfr.#: TGF2929-FS/FL, 3.1-3.5GHZ EVB

OMO.#: OMO-TGF2929-FS-FL-3-1-3-5GHZ-EVB-319

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W Eval Board
TGF2979-SM-EVB

Mfr.#: TGF2979-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2929-HM-EVB

Mfr.#: TGF2929-HM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2929-HM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2960

Mfr.#: TGF2960

OMO.#: OMO-TGF2960-1190

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100
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45 689,40 $
500
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215 755,50 $
1000
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