HGTG12N60D1D

HGTG12N60D1D
Mfr. #:
HGTG12N60D1D
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
HGTG12N60D1D Datenblatt
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HGTG12N, HGTG12, HGTG1, HGTG, HGT
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***ponent Stockers USA
21 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247
***i-Key
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
HGTG12N60D1DHarris SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
RoHS: Not Compliant
606
  • 1000:$6.2400
  • 500:$6.5700
  • 100:$6.8400
  • 25:$7.1300
  • 1:$7.6800
HGTG12N60D1DHarris Semiconductor 300
    Bild Teil # Beschreibung
    HGTG12N60C3D

    Mfr.#: HGTG12N60C3D

    OMO.#: OMO-HGTG12N60C3D

    IGBT Transistors 24a 600V IGBT UFS N-Channel
    HGTG12N60C3D

    Mfr.#: HGTG12N60C3D

    OMO.#: OMO-HGTG12N60C3D-ON-SEMICONDUCTOR

    IGBT Transistors 24a 600V IGBT UFS N-Channel
    HGTG120N60B3D

    Mfr.#: HGTG120N60B3D

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    Neu und Original
    HGTG12N60A4D

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    OMO.#: OMO-HGTG12N60A4D-ON-SEMICONDUCTOR

    IGBT 600V 54A 167W TO247
    HGTG12N60A4D,12N60A4D,12

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    Neu und Original
    HGTG12N60A4D,HGTG10N120B

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    Neu und Original
    HGTG12N60A4D-NL

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    Neu und Original
    HGTG12N60B3D

    Mfr.#: HGTG12N60B3D

    OMO.#: OMO-HGTG12N60B3D-1190

    - Bulk (Alt: HGTG12N60B3D)
    HGTG12N60D1D

    Mfr.#: HGTG12N60D1D

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    Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
    HGTG12N60C3DR

    Mfr.#: HGTG12N60C3DR

    OMO.#: OMO-HGTG12N60C3DR-1190

    Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
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    0,00 $
    0,00 $
    1000
    0,00 $
    0,00 $
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