IXTY1N80

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

IXTY1N80

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19 ns

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.012346 oz

Tags

IXTY1N8, IXTY1N, IXTY1, IXTY, IXT