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IXFX32N90P

IXFX32N90P
Mfr. #:
IXFX32N90P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFX32N90P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFX32N90P DatasheetIXFX32N90P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFX32N90P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
300 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
6.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
215 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
960 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Serie:
IXFX32N90
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
22 S
Abfallzeit:
26 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
80 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
48 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
IXFX32N, IXFX32, IXFX3, IXFX, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 900 V 32 A 300 mO PolarP2 HiPerFET Power Mosfet - PLUS-247
***i-Key
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFX32N90P
DISTI # IXFX32N90P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$14.1527
IXFX32N90P
DISTI # 747-IXFX32N90P		IXYS CorporationMOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
RoHS: Compliant		1
  • 1:$19.3500
  • 10:$17.6000
  • 25:$16.2700
  • 50:$14.9700
  • 100:$14.6100
  • 250:$13.3900
  • 500:$12.1500
Bild Teil # Beschreibung
IXFX360N10T

Mfr.#: IXFX360N10T

OMO.#: OMO-IXFX360N10T

 MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
IXFX320N17T2

Mfr.#: IXFX320N17T2

OMO.#: OMO-IXFX320N17T2

 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFX32N100Q3

Mfr.#: IXFX32N100Q3

OMO.#: OMO-IXFX32N100Q3

 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
IXFX32N100P

Mfr.#: IXFX32N100P

OMO.#: OMO-IXFX32N100P

 MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
IXFX30N100Q2

Mfr.#: IXFX30N100Q2

OMO.#: OMO-IXFX30N100Q2

 MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
IXFX34N80

Mfr.#: IXFX34N80

OMO.#: OMO-IXFX34N80

 MOSFET 800V 34A
IXFX32N50,IXFH44N50P,IXF

Mfr.#: IXFX32N50,IXFH44N50P,IXF

OMO.#: OMO-IXFX32N50-IXFH44N50P-IXF-1190

 Neu und Original
IXFX30N50

Mfr.#: IXFX30N50

OMO.#: OMO-IXFX30N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH PLUS247
IXFX32N80Q3

Mfr.#: IXFX32N80Q3

OMO.#: OMO-IXFX32N80Q3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
IXFX32N90P

Mfr.#: IXFX32N90P

OMO.#: OMO-IXFX32N90P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
19,35 $
19,35 $
10
17,60 $
176,00 $
25
16,27 $
406,75 $
50
14,97 $
748,50 $
100
14,61 $
1 461,00 $
250
13,39 $
3 347,50 $
500
12,15 $
6 075,00 $
1000
11,09 $
11 090,00 $
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