IXTN5N250

IXTN5N250
Mfr. #:
IXTN5N250
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTN5N250 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXTN5N250
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-227-4
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
700 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
44 ns
Anstiegszeit
20 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
2500 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2 V to 5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
8.8 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
90 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
33 ns
Qg-Gate-Ladung
200 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
4.5 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTN, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTN5N250
DISTI # IXTN5N250-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$54.5600
IXTN5N250
DISTI # 747-IXTN5N250
IXYS CorporationMOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET
RoHS: Compliant
0
  • 1:$143.3600
  • 5:$138.3400
  • 10:$134.0800
  • 25:$124.0000
  • 50:$120.3200
Bild Teil # Beschreibung
IXTN170P10P

Mfr.#: IXTN170P10P

OMO.#: OMO-IXTN170P10P

Discrete Semiconductor Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
IXTN660N04T4

Mfr.#: IXTN660N04T4

OMO.#: OMO-IXTN660N04T4

MOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
IXTN102N65X2

Mfr.#: IXTN102N65X2

OMO.#: OMO-IXTN102N65X2

MOSFET DISCMSFTNCHULTJNCTNX2CLASS (MI
IXTN8N150L

Mfr.#: IXTN8N150L

OMO.#: OMO-IXTN8N150L

MOSFET 8 Amps 1500V
IXTN600N04T2

Mfr.#: IXTN600N04T2

OMO.#: OMO-IXTN600N04T2-IXYS-CORPORATION

Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXTN1378

Mfr.#: IXTN1378

OMO.#: OMO-IXTN1378-1190

Neu und Original
IXTN30N50

Mfr.#: IXTN30N50

OMO.#: OMO-IXTN30N50-1190

Neu und Original
IXTN36N50S1

Mfr.#: IXTN36N50S1

OMO.#: OMO-IXTN36N50S1-1190

Neu und Original
IXTN8N150L

Mfr.#: IXTN8N150L

OMO.#: OMO-IXTN8N150L-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
IXTN62N50L

Mfr.#: IXTN62N50L

OMO.#: OMO-IXTN62N50L-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 62 Amps 500V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXTN5N250 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
81,84 $
81,84 $
10
77,75 $
777,48 $
100
73,66 $
7 365,60 $
500
69,56 $
34 782,00 $
1000
65,47 $
65 472,00 $
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top